MA27D290GL
数据手册.pdfPanasonic(松下)
分立器件
•肖特基势垒二极管(SBD)•硅外延平面型•超高速开关•低正向电压VF <0.42 V(在IF= 100 mA时)•最佳高频整流,因为其短的反向恢复时间trr
反向电压VrReverse Voltage | 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current | 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 420mV/0.42V 最大耗散功率PdPower dissipation | Description & Applications | • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • Low forward voltage: VF< 0.42 V at IF= 100 mA • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr 描述与应用 | •肖特基势垒(SBD) •硅外延平面型 •超高速开关 •低正向电压VF <0.42 V(在IF= 100 mA时) •最佳高频整流,因为其短的反向恢复时间trr