MA21D3400L

硅外延平面型对于整流阳离子（平均）正向电流IF（AV）= 1.0 A整流阳离子低正向电压VF肖特基势垒二极管（SBD）

反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 380mV/0.38V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Silicon epitaxial planar type For rectifi cation Forward current Average IFAV = 1.0 A rectifi cation is possible Low forward voltage VF Schottky Barrier Diodes SBD 描述与应用| 硅外延平面型 对于整流阳离子 （平均）正向电流IF（AV）= 1.0 A整流阳离子 低正向电压VF 肖特基势垒（SBD）