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MC100EPT20D

MC100EPT20D

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 主动器件
MC100EPT20D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

通道数 1

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC100EPT20D引脚图与封装图
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在线购买MC100EPT20D
型号 制造商 描述 购买
MC100EPT20D ON Semiconductor 安森美 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 搜索库存
替代型号MC100EPT20D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MC100EPT20D

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装:

当前型号

评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8

当前型号

型号: MC100EPT20DTR2G

品牌: 安森美

封装:

完全替代

3.3V LVTTL / LVCMOS到差分LVPECL翻译 3.3V LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Translator

MC100EPT20D和MC100EPT20DTR2G的区别

型号: MC100EPT20DR2G

品牌: 安森美

封装:

完全替代

3.3V LVTTL / LVCMOS到差分LVPECL翻译 3.3V LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Translator

MC100EPT20D和MC100EPT20DR2G的区别

型号: MC10ELT20DR2G

品牌: 安森美

封装:

完全替代

5V ? TTL至差分PECL转换器 5VTTL to Differential PECL Translator

MC100EPT20D和MC10ELT20DR2G的区别