MC10EP52DR2G中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.50V max
无卤素状态 Halogen Free
时钟频率 3 GHz
位数 1
极性 Non-Inverting, Inverting
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC10EP52DR2G引脚图与封装图
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在线购买MC10EP52DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC10EP52DR2G | ON Semiconductor 安森美 | 3.3V / 5V ECL差分数据和时钟D触发器 3.3V / 5V ECL Differential Data and Clock D Flip−Flop | 搜索库存 |
替代型号MC10EP52DR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC10EP52DR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SO-8 1Bit 5.5V | 当前型号 | 3.3V / 5V ECL差分数据和时钟D触发器 3.3V / 5V ECL Differential Data and Clock D Flip−Flop | 当前型号 |
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