MLF2012A1R8MT

TDK(东电化) 被动器件

0805 1.8uH ±20% 80mA

1.8 µH 屏蔽多层器 80 mA 450 毫欧最大 0805（2012 公制） -

得捷:
FIXED IND 1.8UH 80MA 450MOHM SMD

艾睿:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 1.8uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 80mA 450mOhm DCR 0805 T/R

Chip1Stop:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 1.8uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 80mA 450mOhm DCR 0805 T/R

MLF2012A1R8MT中文资料参数规格

技术参数

额定电流 80 mA

电感 1.8 µH

自谐频率 130 MHz

Q值 45

电感公差 ±20 %

电阻DC） 450 mΩ

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.45 Ω

封装参数

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.05 mm

封装公制 2012

封装 0805

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MLF2012A1R8MT引脚图与封装图

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MLF2012A1R8MT	TDK 东电化	0805 1.8uH ±20% 80mA	搜索库存