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MLF2012DR82KT

MLF2012DR82KT

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

TDK 0805 MLF2012 系列磁性屏蔽线绕电感器具有整片结构的 SMD 电感器,适合高密度安装 高频率时质量和稳定性较高。 多层结构,磁性屏蔽 应用:移动电话、调谐器、计算机等的信号线路 ### 表面安装 0805 电感器(扼流圈)

0805 MLF2012 系列磁性屏蔽线绕器

具有整片结构的 SMD 电感器,适合高密度安装

高频率时质量和稳定性较高。

多层结构,磁性屏蔽

应用:移动电话、调谐器、计算机等的信号线路


得捷:
FIXED IND 820NH 150MA 650MOHM SM


立创商城:
820nH ±10% 400mΩ


欧时:
TDK MLF2012 系列 MLF2012DR82KT 820 nH ±10% 铁氧体 多层贴片式电感器, 0805 2012M封装, SRF: 170MHz Q: 25


艾睿:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 650mOhm DCR 0805 T/R


安富利:
TDKMLF2012DR82KT


Chip1Stop:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 650mOhm DCR 0805 T/R


Verical:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 650mOhm DCR 0805 T/R


MLF2012DR82KT中文资料参数规格
技术参数

容差 ±10 %

电感 820 nH

自谐频率 130 MHz

电感公差 ±10 %

测试频率 25 MHz

电阻DC) 0.65 Ω

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 650 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.45 mm

封装公制 2012

封装 0805

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MLF2012DR82KT引脚图与封装图
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MLF2012DR82KT TDK 东电化 TDK 0805 MLF2012 系列磁性屏蔽线绕电感器 具有整片结构的 SMD 电感器,适合高密度安装 高频率时质量和稳定性较高。 多层结构,磁性屏蔽 应用:移动电话、调谐器、计算机等的信号线路 ### 表面安装 0805 电感器(扼流圈) 搜索库存