MLG0603S9N1JT
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TDK
东电化
被动器件
MLG0603S9N1JT中文资料参数规格
技术参数
电感 9.1 nH
自谐频率 4.9 GHz
测试频率 100 MHz
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
电阻DC Max 800 mΩ
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 0603
封装 0201
外形尺寸
长度 0.6 mm
宽度 0.3 mm
高度 0.3 mm
封装公制 0603
封装 0201
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MLG0603S9N1JT引脚图与封装图
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在线购买MLG0603S9N1JT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MLG0603S9N1JT | TDK 东电化 | Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 9.1nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 200mA 800mOhm DCR 0201 T/R | 搜索库存 |
替代型号MLG0603S9N1JT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MLG0603S9N1JT 品牌： TDK 东电化 封装： 0201 | 当前型号 | Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 9.1nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 200mA 800mOhm DCR 0201 T/R | 当前型号 |
| 型号： MLG0603S9N1JTD25 品牌： 东电化 封装： 0201 9.1nH 200mA | 类似代替 | 0201 9.1nH ±5% 200mA | MLG0603S9N1JT和MLG0603S9N1JTD25的区别 |
