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MLG1005S82NJT

MLG1005S82NJT

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件
MLG1005S82NJT中文资料参数规格
技术参数

电感 82 nH

自谐频率 1 GHz

电感公差 ±5 %

测试频率 100 MHz

电阻DC) 1.6 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电阻DC Max 1.6 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MLG1005S82NJT引脚图与封装图
MLG1005S82NJT引脚图

MLG1005S82NJT引脚图

MLG1005S82NJT封装图

MLG1005S82NJT封装图

MLG1005S82NJT封装焊盘图

MLG1005S82NJT封装焊盘图

在线购买MLG1005S82NJT
型号 制造商 描述 购买
MLG1005S82NJT TDK 东电化 Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 82nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.6Ω DCR 0402 T/R 搜索库存
替代型号MLG1005S82NJT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MLG1005S82NJT

品牌: TDK 东电化

封装: 0402

当前型号

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 82nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.6Ω DCR 0402 T/R

当前型号

型号: LQG15HN82NJ02D

品牌: 村田

封装: 0402 82nH 600MHz 150mA

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MLG1005S82NJT和LQG15HN82NJ02D的区别