MC100EP08DR2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
电路数 1
静态电流 30.0 mA
逻辑门个数 1
输入数 2
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC100EP08DR2G引脚图与封装图 
MC100EP08DR2G引脚图
MC100EP08DR2G封装图
MC100EP08DR2G封装焊盘图
在线购买MC100EP08DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC100EP08DR2G | ON Semiconductor 安森美 | XOR/XNOR Gate 1Element 4IN ECL 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |
替代型号MC100EP08DR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC100EP08DR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC-8 | 当前型号 | XOR/XNOR Gate 1Element 4IN ECL 8Pin SOIC N T/R | 当前型号 |
| 型号： MC100EP08D 品牌： 安森美 封装： SOIC 5V 8Pin | 完全替代 | 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 | MC100EP08DR2G和MC100EP08D的区别 |
| 型号： MC100EP08DG 品牌： 安森美 封装： SOIC-8 3V 8Pin | 类似代替 | ECL 逻辑门，ON Semiconductor差分 ECL 逻辑门，包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、XNOR 和反相门。### ECL（发射器耦合逻辑）逻辑 | MC100EP08DR2G和MC100EP08DG的区别 |
| 型号： MC100EP08DR2 品牌： 安森美 封装： SOIC-8 | 类似代替 | 差2输入XOR / XNOR Differential 2-Input XOR/XNOR | MC100EP08DR2G和MC100EP08DR2的区别 |