MCR100JZHJ682

ROHM Semiconductor 罗姆半导体被动器件

Res Thick Film 2512 6.8KΩ 5% 1W ±200ppm/℃ Molded SMD Embossed T/R

6.8 ±5% 1W 芯片 2512（6432 公制）汽车级AEC-Q200 厚膜

得捷:
RES SMD 6.8K OHM 5% 1W 2512

安富利:
Res Thick Film 2512 6.8K Ohm 5% 1W ±200ppm/°C Molded SMD Embossed T/R

MCR100JZHJ682中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±5 %

额定功率 1 W

电阻 6.8 kΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 6432

封装 2512

外形尺寸

长度 6.4 mm

宽度 3.2 mm

封装公制 6432

封装 2512

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MCR100JZHJ682引脚图与封装图

MCR100JZHJ682引脚图

MCR100JZHJ682封装图

MCR100JZHJ682封装焊盘图

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MCR100JZHJ682	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	Res Thick Film 2512 6.8KΩ 5% 1W ±200ppm/℃ Molded SMD Embossed T/R	搜索库存