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MT29F64G08AECABH1-10:A

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 100Pin V-BGA

FLASH - NAND Memory IC 64Gb 8G x 8 Parallel 100MHz 100-VBGA 12x18


得捷:
IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64G-bit 8G x 8 100-Pin VBGA


安富利:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8bit 100-Pin V-BGA


MT29F64G08AECABH1-10:A中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3.30 V

内存容量 8000000000 B

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

封装 VBGA-100

外形尺寸

封装 VBGA-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MT29F64G08AECABH1-10:A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT29F64G08AECABH1-10:A Micron 镁光 SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 100Pin V-BGA 搜索库存
替代型号MT29F64G08AECABH1-10:A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT29F64G08AECABH1-10:A

品牌: Micron 镁光

封装: BGA 8000000000B

当前型号

SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 64Gbit 8G x 8Bit 100Pin V-BGA

当前型号

型号: MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A

品牌: 镁光

封装: BGA 8000000000B

完全替代

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MT29F64G08AECABH1-10:A和MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A的区别

型号: MT29F64G08AECABH1-10Z:A

品牌: 镁光

封装: BGA 8000000000B

完全替代

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MT29F64G08AECABH1-10:A和MT29F64G08AECABH1-10Z:A的区别

型号: MT29F64G08AECABH1-10IT:A

品牌: 镁光

封装: BGA 8000000000B

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