电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max
工作电压 2.50 V
时钟频率 167MHz max
位数 8
存取时间 6.00 ns
内存容量 1000000000 B
存取时间Max 0.7 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 66
封装 TSSOP-66
高度 1 mm
封装 TSSOP-66
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MT46V128M8P-6T:A引脚图
MT46V128M8P-6T:A封装图
MT46V128M8P-6T:A封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MT46V128M8P-6T:A | Micron 镁光 | DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 128Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MT46V128M8P-6T:A 品牌: Micron 镁光 封装: 66-TSSOP 1000000000B 2.5V 6ns | 当前型号 | DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 128Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray | 当前型号 | |
型号: MT46V128M8TG-6T:A 品牌: 镁光 封装: TSOP 1000000000B 2.5V 6ns | 完全替代 | DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 128Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray | MT46V128M8P-6T:A和MT46V128M8TG-6T:A的区别 | |
型号: MT46V128M8P-75:A 品牌: 镁光 封装: TSOP 1000000000B 2.5V 7.5ns | 类似代替 | DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 128Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray | MT46V128M8P-6T:A和MT46V128M8P-75:A的区别 | |
型号: MT46V128M8TG-75:A 品牌: 镁光 封装: TSOP 1000000000B 2.5V 7.5ns | 类似代替 | DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 128Mx8 2.5V 66Pin TSOP Tray | MT46V128M8P-6T:A和MT46V128M8TG-75:A的区别 |