MT8VDDT6464HDY-40BJ1

Micron(镁光) 电子元器件分类

MODULE DDR SDRAM 512Mb 200SODIMM

存储器 - 模块 DDR SDRAM 512MB 400MT/s 200-SODIMM

得捷:
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM

艾睿:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

安富利:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

Chip1Stop:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

MT8VDDT6464HDY-40BJ1中文资料参数规格

技术参数

存取时间 900 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 200

封装 SODIMM-200

外形尺寸

封装 SODIMM-200

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT8VDDT6464HDY-40BJ1引脚图与封装图

MT8VDDT6464HDY-40BJ1引脚图

MT8VDDT6464HDY-40BJ1封装图

MT8VDDT6464HDY-40BJ1封装焊盘图

在线购买MT8VDDT6464HDY-40BJ1

型号	制造商	描述	购买
MT8VDDT6464HDY-40BJ1	Micron 镁光	MODULE DDR SDRAM 512Mb 200SODIMM	搜索库存