MPLAD6.5KP11AE3
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
MPLAD6.5KP11AE3中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 11V
脉冲峰值功率 6500 W
最小反向击穿电压 12.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPLAD6.5KP11AE3引脚图与封装图 
MPLAD6.5KP11AE3引脚图
MPLAD6.5KP11AE3封装图
MPLAD6.5KP11AE3封装焊盘图
在线购买MPLAD6.5KP11AE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPLAD6.5KP11AE3 | Microsemi 美高森美 | mini-PLAD 11V 6500W | 搜索库存 |
替代型号MPLAD6.5KP11AE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPLAD6.5KP11AE3 品牌： Microsemi 美高森美 封装： mini-PLAD | 当前型号 | mini-PLAD 11V 6500W | 当前型号 |
| 型号： MPLAD6.5KP11A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS | MPLAD6.5KP11AE3和MPLAD6.5KP11A的区别 |
| 型号： MXLPLAD6.5KP11A 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | MPLAD6.5KP11AE3和MXLPLAD6.5KP11A的区别 |
| 型号： MXLPLAD6.5KP11AE3 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | TVS 6.5kW UNIDIRECT PLAD | MPLAD6.5KP11AE3和MXLPLAD6.5KP11AE3的区别 |