MT49H32M18CFM-25:B

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144Pin MBGA Tray

DRAM 存储器 IC 576Mb（32M x 18）并联 144-µBGA（18.5x11）

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144-Pin MBGA Tray

安富利:
DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin M-BGA Tray

Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin MBGA Tray

MT49H32M18CFM-25:B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准无铅

MT49H32M18CFM-25:B引脚图与封装图

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