MT29F32G08AECBBH1-12IT:B

Micron(镁光) 主动器件

NAND Flash Parallel 3.3V 32G-bit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA

FLASH - NAND Memory IC 32Gb 4G x 8 Parallel 83MHz 100-VBGA 12x18

得捷:
IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA

艾睿:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100-Pin VBGA

安富利:
NAND Flash Parallel 3.3V 32G-bit 4G x 8Bit 20ns 100-Pin V-BGA

Chip1Stop:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 100-Pin VBGA

Verical:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100-Pin VBGA T/R/Tray

Win Source:
IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA / FLASH - NAND Memory IC 32Gb 4G x 8 Parallel 83 MHz 100-VBGA 12x18

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.30 V

供电电流 50 mA

位数 8

内存容量 4000000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 VBGA-100

外形尺寸

封装 VBGA-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B引脚图与封装图

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