MT41K512M16TNA-125:E
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT41K512M16TNA-125:E中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.35 V
位数 16
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.283V ~ 1.45V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 96
封装 FBGA-96
外形尺寸
封装 FBGA-96
物理参数
工作温度 0℃ ~ 95℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MT41K512M16TNA-125:E引脚图与封装图 
MT41K512M16TNA-125:E引脚图
在线购买MT41K512M16TNA-125:E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT41K512M16TNA-125:E | Micron 镁光 | DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96Pin FBGA | 搜索库存 |
替代型号MT41K512M16TNA-125:E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT41K512M16TNA-125:E 品牌： Micron 镁光 封装： FBGA | 当前型号 | DRAM Chip DDR3L SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.35V 96Pin FBGA | 当前型号 |
| 型号： MT41K512M16HA-125:A 品牌： 镁光 封装： FBGA | 完全替代 | MT41K512M16HA-125:A 停产 | MT41K512M16TNA-125:E和MT41K512M16HA-125:A的区别 |
| 型号： MT41K512M16TNA-125IT:E 品牌： 镁光 封装： FBGA | 类似代替 | DDR DRAM, 512MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 10 X 14 MM, 1.20 MM HIEGHT, LEAD FREE, FBGA-96 | MT41K512M16TNA-125:E和MT41K512M16TNA-125IT:E的区别 |