MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.30 V
位数 8
内存容量 4000000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 VBGA-100
外形尺寸
封装 VBGA-100
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MT29F32G08ABCABH1-10Z:A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F32G08ABCABH1-10Z:A | Micron 镁光 | SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA | 搜索库存 |
替代型号MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F32G08ABCABH1-10Z:A 品牌： Micron 镁光 封装： BGA 4000000000B | 当前型号 | SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA | 当前型号 |
| 型号： MT29F32G08ABCABH1-10:A 品牌： 镁光 封装： BGA 4000000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGA | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A和MT29F32G08ABCABH1-10:A的区别 |
| 型号： MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A 品牌： 镁光 封装： 4000000000B | 类似代替 | SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A和MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A的区别 |
| 型号： MT29F32G08CBCBBH1-12:B 品牌： 镁光 封装： 4000000000B | 类似代替 | Flash, 4GX8, 20ns, PBGA100 | MT29F32G08ABCABH1-10Z:A和MT29F32G08CBCBBH1-12:B的区别 |
