MR20H40CDF
数据手册.pdf
Everspin Technologies
主动器件
MR20H40CDF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.6 W
存取时间 20 ns
存取时间Max 9 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MR20H40CDF引脚图与封装图
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在线购买MR20H40CDF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MR20H40CDF | Everspin Technologies | 磁阻随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI | 搜索库存 |
替代型号MR20H40CDF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MR20H40CDF 品牌： Everspin Technologies 封装： DFN-8 | 当前型号 | 磁阻随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI | 当前型号 |
| 型号： MR20H40DFR 品牌： Everspin Technologies 封装： DFN-8 | 类似代替 | NVRAM 4Mb 3.3V 50MHz 512K x 8 SPI | MR20H40CDF和MR20H40DFR的区别 |