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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGA

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 166 MHz 5 ns 60-VFBGA(10x10)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA


MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 6.5ns, 5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 60

封装 VFBGA-60

外形尺寸

封装 VFBGA-60

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR Micron 镁光 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGA 搜索库存
替代型号MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

品牌: Micron 镁光

封装:

当前型号

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGA

当前型号

型号: MT46H128M16LFDD-48 WT:C

品牌: 镁光

封装: BGA

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型号: MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

品牌: 镁光

封装: BGA

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