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MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA T/R

SDRAM Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 143MHz 5.5ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin VFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin VF-BGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip SDR SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin VFBGA T/R


Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin VFBGA T/R


DeviceMart:
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90VFBGA


Win Source:
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90VFBGA


MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 175 mA

时钟频率 143MHz max

位数 32

存取时间 143 µs

内存容量 128000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 VFBGA-90

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR引脚图与封装图
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MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR Micron 镁光 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90Pin VFBGA T/R 搜索库存