MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.80 V
供电电流 20 mA
位数 16
内存容量 1000000000 B
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 9 mm
封装 VFBGA-63
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D引脚图与封装图
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在线购买MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F8G16ADBDAH4-IT:D | Micron 镁光 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 25ns 63Pin VFBGA | 搜索库存 |
替代型号MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F8G16ADBDAH4-IT:D 品牌： Micron 镁光 封装： VFBGA 1000000000B | 当前型号 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 25ns 63Pin VFBGA | 当前型号 |
| 型号： MT29F8G16ABBCAH4-IT:C 品牌： 镁光 封装： FBGA 1000000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGA | MT29F8G16ADBDAH4-IT:D和MT29F8G16ABBCAH4-IT:C的区别 |
| 型号： MT29F8G16ABBCAH4:C 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 1000000000B | 类似代替 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8Gbit 512M x 16Bit 63Pin VFBGA | MT29F8G16ADBDAH4-IT:D和MT29F8G16ABBCAH4:C的区别 |
| 型号： MT29F8G16ADBDAH4:D 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 1000000000B | 类似代替 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 512M x 16 25ns 63Pin VFBGA | MT29F8G16ADBDAH4-IT:D和MT29F8G16ADBDAH4:D的区别 |