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MX29GL512FHXFI-11G

MX29GL512FHXFI-11G

数据手册.pdf
Macronix International 旺宏电子 电子元器件分类

MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56

FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 110 ns 64-LFBGA,CSP(11x13)


得捷:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64-Pin LFBGA


富昌:
MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56


MX29GL512FHXFI-11G中文资料参数规格
技术参数

位数 8, 16

存取时间Max 110 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 64

封装 LFBGA-64

外形尺寸

封装 LFBGA-64

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MX29GL512FHXFI-11G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MX29GL512FHXFI-11G Macronix International 旺宏电子 MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56 搜索库存
替代型号MX29GL512FHXFI-11G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MX29GL512FHXFI-11G

品牌: Macronix International 旺宏电子

封装: LBGA

当前型号

MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56

当前型号

型号: MX29GL512ELXFI-10Q

品牌: 旺宏电子

封装: LBGA

类似代替

MX29GL Series 3V 512Mb 64M x 8/32M x 16 100ns Parallel Flash - LFBGA-64

MX29GL512FHXFI-11G和MX29GL512ELXFI-10Q的区别

型号: S29GL512N11FFI020

品牌: 赛普拉斯

封装:

类似代替

Flash, 32MX16, 110ns, PBGA64, 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64

MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N11FFI020的区别

型号: S29GL512N10FAI010

品牌: 飞索半导体

封装:

功能相似

3V-only Page Mode Flash Memory featuring 110nm MirrorBit„ Process Technology

MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N10FAI010的区别