
位数 8, 16
存取时间Max 110 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
引脚数 64
封装 LFBGA-64
封装 LFBGA-64
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MX29GL512FHXFI-11G | Macronix International 旺宏电子 | MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MX29GL512FHXFI-11G 品牌: Macronix International 旺宏电子 封装: LBGA | 当前型号 | MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行 闪存存储器 - FBGA-56 | 当前型号 | |
型号: MX29GL512ELXFI-10Q 品牌: 旺宏电子 封装: LBGA | 类似代替 | MX29GL Series 3V 512Mb 64M x 8/32M x 16 100ns Parallel Flash - LFBGA-64 | MX29GL512FHXFI-11G和MX29GL512ELXFI-10Q的区别 | |
型号: S29GL512N11FFI020 品牌: 赛普拉斯 封装: | 类似代替 | Flash, 32MX16, 110ns, PBGA64, 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64 | MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N11FFI020的区别 | |
型号: S29GL512N10FAI010 品牌: 飞索半导体 封装: | 功能相似 | 3V-only Page Mode Flash Memory featuring 110nm MirrorBit Process Technology | MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N10FAI010的区别 |