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M29W128FH70ZA6E

M29W128FH70ZA6E

数据手册.pdf
Micron(镁光) 电子元器件分类

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin TBGA Tube

FLASH - NOR Memory IC 128Mb 16M x 8, 8M x 16 Parallel 70ns 64-TBGA 10x13


得捷:
IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA


艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64-Pin TBGA Tube


M29W128FH70ZA6E中文资料参数规格
技术参数

位数 8, 16

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 64

封装 TBGA-64

外形尺寸

封装 TBGA-64

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

M29W128FH70ZA6E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
M29W128FH70ZA6E Micron 镁光 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin TBGA Tube 搜索库存
替代型号M29W128FH70ZA6E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M29W128FH70ZA6E

品牌: Micron 镁光

封装: TBGA

当前型号

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin TBGA Tube

当前型号

型号: M29W128GL70ZA6E

品牌: 镁光

封装: TBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 70ns 64Pin TBGA Tray

M29W128FH70ZA6E和M29W128GL70ZA6E的区别

型号: M29W128GH70ZS6E

品牌: 镁光

封装: 64-LBGA

完全替代

Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin LBGA Tray

M29W128FH70ZA6E和M29W128GH70ZS6E的区别

型号: M29W128GL70ZS6E

品牌: 镁光

封装: 64-LBGA

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin FBGA Tray

M29W128FH70ZA6E和M29W128GL70ZS6E的区别