MT47H64M16NF-187E:M
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT47H64M16NF-187E:M中文资料参数规格
技术参数
供电电流 185 mA
位数 16
存取时间 350 ps
存取时间Max 0.35 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 84
封装 FBGA-84
外形尺寸
封装 FBGA-84
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
MT47H64M16NF-187E:M引脚图与封装图 
MT47H64M16NF-187E:M引脚图
MT47H64M16NF-187E:M封装图
MT47H64M16NF-187E:M封装焊盘图
在线购买MT47H64M16NF-187E:M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT47H64M16NF-187E:M | Micron 镁光 | DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | 搜索库存 |
替代型号MT47H64M16NF-187E:M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT47H64M16NF-187E:M 品牌： Micron 镁光 封装： TFBGA | 当前型号 | DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | 当前型号 |
| 型号： MT47H64M16HR-187E:H 品牌： 镁光 封装： FBGA | 完全替代 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA | MT47H64M16NF-187E:M和MT47H64M16HR-187E:H的区别 |
| 型号： MT47H64M16HR-187E:H TR 品牌： 镁光 封装： BGA | 完全替代 | DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA T/R | MT47H64M16NF-187E:M和MT47H64M16HR-187E:H TR的区别 |