MURTA200120
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
MURTA200120中文资料参数规格
技术参数
正向电压 2.6V @100A
封装参数
安装方式 Chassis
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MURTA200120引脚图与封装图
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在线购买MURTA200120
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor | Diode Gen 1.2kV 100A 3 Tower | 搜索库存 |
替代型号MURTA200120
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MURTA200120 品牌： GeneSiC Semiconductor 封装： | 当前型号 | Diode Gen 1.2kV 100A 3 Tower | 当前型号 |
| 型号： SKMD105F12 品牌： 赛米控 封装： | 类似代替 | Fast Diode Modules | MURTA200120和SKMD105F12的区别 |
| 型号： RM100CZ-24 品牌： 三菱 封装： | 功能相似 | 高压中功率一般使用绝缘型 HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | MURTA200120和RM100CZ-24的区别 |