MBR2X120A200
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
MBR2X120A200中文资料参数规格
技术参数
正向电压 920mV @120A
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MBR2X120A200引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MBR2X120A200 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 200V 120A Sot227 | 搜索库存 |