MT29F2G08ABBEAHC:E
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F2G08ABBEAHC:E中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.80 V
供电电流 20 mA
位数 8
内存容量 250000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
外形尺寸
封装 VFBGA-63
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 3A991.b.1.a
MT29F2G08ABBEAHC:E引脚图与封装图
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在线购买MT29F2G08ABBEAHC:E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F2G08ABBEAHC:E | Micron 镁光 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray | 搜索库存 |
替代型号MT29F2G08ABBEAHC:E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F2G08ABBEAHC:E 品牌： Micron 镁光 封装： 63-VFBGA 250000000B | 当前型号 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray | 当前型号 |
| 型号： MT29F2G08ABBEAH4:E 品牌： 镁光 封装： TRAY 250000000B | 完全替代 | Flash, 256MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63 | MT29F2G08ABBEAHC:E和MT29F2G08ABBEAH4:E的区别 |
| 型号： MT29F2G08ABBEAHC:E TR 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 63Pin VFBGA Tray | MT29F2G08ABBEAHC:E和MT29F2G08ABBEAHC:E TR的区别 |
| 型号： MT29F2G08ABBEAHC-IT:E 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 250000000B | 类似代替 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA Tray | MT29F2G08ABBEAHC:E和MT29F2G08ABBEAHC-IT:E的区别 |