M29W128GH70ZS6E

Micron(镁光) 主动器件

Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin LBGA Tray

FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb（16M x 8，8M x 16）并联 70 ns 64-FBGA（11x13）

得捷:
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA

艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64-Pin FBGA Tray

Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64-Pin FBGA Tray

DeviceMart:
IC FLASH 128MBIT 70NS 64FBGA

M29W128GH70ZS6E中文资料参数规格

技术参数

供电电流 10 mA

位数 8, 16

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 64

封装 LBGA-64

外形尺寸

封装 LBGA-64

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

M29W128GH70ZS6E引脚图与封装图

M29W128GH70ZS6E引脚图

M29W128GH70ZS6E封装图

M29W128GH70ZS6E封装焊盘图

在线购买M29W128GH70ZS6E

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M29W128GH70ZS6E	Micron 镁光	Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin LBGA Tray	搜索库存

替代型号M29W128GH70ZS6E

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： M29W128GH70ZS6E 品牌： Micron 镁光封装： 64-LBGA	当前型号	Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 70ns 64Pin LBGA Tray	当前型号
型号： M29W128GL70ZA6E 品牌：镁光封装： TBGA	完全替代	NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 70ns 64Pin TBGA Tray	M29W128GH70ZS6E和M29W128GL70ZA6E的区别
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