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M29W800DT70N6F

M29W800DT70N6F

数据手册.pdf
Micron 镁光 主动器件
M29W800DT70N6F中文资料参数规格
技术参数

位数 8, 16

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

M29W800DT70N6F引脚图与封装图
M29W800DT70N6F引脚图

M29W800DT70N6F引脚图

M29W800DT70N6F封装图

M29W800DT70N6F封装图

M29W800DT70N6F封装焊盘图

M29W800DT70N6F封装焊盘图

在线购买M29W800DT70N6F
型号 制造商 描述 购买
M29W800DT70N6F Micron 镁光 Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R 搜索库存
替代型号M29W800DT70N6F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M29W800DT70N6F

品牌: Micron 镁光

封装: TSOP 8000000B 70ns

当前型号

Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R

当前型号

型号: M29W800DT70N6T

品牌: 镁光

封装:

完全替代

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R

M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6T的区别

型号: M29W800DT70N6

品牌: 镁光

封装: TSSOP

类似代替

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP Tube

M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6的区别

型号: M29W800DT70N6E

品牌: 镁光

封装: TSOP 1000000B 2.7V 48Pin

功能相似

MICRON  M29W800DT70N6E  闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚

M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6E的区别