位数 8, 16
存取时间 70.0 ns
内存容量 8000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP
封装 TSOP
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
M29W800DT70N6F引脚图
M29W800DT70N6F封装图
M29W800DT70N6F封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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M29W800DT70N6F | Micron 镁光 | Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: M29W800DT70N6F 品牌: Micron 镁光 封装: TSOP 8000000B 70ns | 当前型号 | Flash Mem Parallel 3V/3.3V 8M-Bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R | 当前型号 | |
型号: M29W800DT70N6T 品牌: 镁光 封装: | 完全替代 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP T/R | M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6T的区别 | |
型号: M29W800DT70N6 品牌: 镁光 封装: TSSOP | 类似代替 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TSOP Tube | M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6的区别 | |
型号: M29W800DT70N6E 品牌: 镁光 封装: TSOP 1000000B 2.7V 48Pin | 功能相似 | MICRON M29W800DT70N6E 闪存, 引导块, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚 | M29W800DT70N6F和M29W800DT70N6E的区别 |