M29W800DB70ZE6F
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
M29W800DB70ZE6F中文资料参数规格
技术参数
供电电流 10 mA
位数 8, 16
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
引脚数 48
封装 BGA-48
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 BGA-48
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M29W800DB70ZE6F引脚图与封装图 
M29W800DB70ZE6F引脚图
M29W800DB70ZE6F封装图
M29W800DB70ZE6F封装焊盘图
在线购买M29W800DB70ZE6F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M29W800DB70ZE6F | Micron 镁光 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/R | 搜索库存 |
替代型号M29W800DB70ZE6F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M29W800DB70ZE6F 品牌： Micron 镁光 封装： 48-TFBGA | 当前型号 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA T/R | 当前型号 |
| 型号： M29W800DB70ZE6E 品牌： 镁光 封装： TFBGA | 完全替代 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8M-bit 1M x 8/512K x 16 70ns 48Pin TFBGA Tray | M29W800DB70ZE6F和M29W800DB70ZE6E的区别 |
| 型号： AM29DL800BB70WBF 品牌： 超微半导体 封装： | 功能相似 | 8 Megabit 1M x 8Bit/512K x 16Bit CMOS 3V-only, Simultaneous Operation Flash Memory | M29W800DB70ZE6F和AM29DL800BB70WBF的区别 |