MD1812K6-G
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
主动器件
MD1812K6-G中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 6 ns
输出接口数 4
耗散功率 2200 mW
下降时间Max 6 ns
上升时间Max 6 ns
工作温度Max 125 ℃
耗散功率Max 2200 mW
电源电压 4.5V ~ 13V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 QFN-16
外形尺寸
封装 QFN-16
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MD1812K6-G引脚图与封装图 
MD1812K6-G引脚图
MD1812K6-G封装图
MD1812K6-G封装焊盘图
在线购买MD1812K6-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MD1812K6-G | Microchip 微芯 | MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R | 搜索库存 |
替代型号MD1812K6-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MD1812K6-G 品牌： Microchip 微芯 封装： QFN-16 | 当前型号 | MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R | 当前型号 |
| 型号： MD1810K6-G 品牌： 微芯 封装： QFN-16 | 类似代替 | MD1810 系列 12 V 2 A 表面贴装 高速 四 MOSFET 驱动器 - QFN-16 | MD1812K6-G和MD1810K6-G的区别 |
| 型号： MD1811K6-G 品牌： 微芯 封装： QFN-16 | 类似代替 | 半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A | MD1812K6-G和MD1811K6-G的区别 |