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MIC4421ZT
Microchip(微芯) 主动器件

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

Correctly change the biasing voltage to a high power transistor by using this power driver by Technology. This device has a maximum propagation delay time of ±100 ns and a maximum power dissipation of 0.11 mW. Its maximum power dissipation is 0.11 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This gate driver has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This device has a minimum operating supply voltage of 42.2K V.

MIC4421ZT中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20ns, 24ns

输出接口数 1

输出电流 9 A

耗散功率 2 W

上升时间 20 ns

下降时间 24 ns

下降时间Max 75 ns

上升时间Max 75 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

耗散功率Max 2000 mW

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 TO-220-5

外形尺寸

封装 TO-220-5

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MIC4421ZT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MIC4421ZT Microchip 微芯 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A 搜索库存
替代型号MIC4421ZT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MIC4421ZT

品牌: Microchip 微芯

封装: TO-220

当前型号

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

当前型号

型号: TC4421CAT

品牌: 微芯

封装: 5TO-220 4.5V 375mA 5Pin

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