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MD1821K6-G

MD1821K6-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

Driver 2A 4Out Hi/Lo Side Inv 16Pin QFN EP T/R

Use the power driver from Technology for fast switching. This device has a maximum propagation delay time of 6.5typ ns and a maximum power dissipation of 2200 mW. Its maximum power dissipation is 2200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This device has a minimum operating supply voltage of 5 V and a maximum of 10 V. This gate driver has an operating temperature range of -20 °C to 85 °C.

MD1821K6-G中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7 ns

输出接口数 4

耗散功率 2200 mW

下降时间Max 7 ns

上升时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -20 ℃

耗散功率Max 2200 mW

电源电压 5V ~ 10V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 QFN-16

外形尺寸

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MD1821K6-G引脚图与封装图
MD1821K6-G引脚图

MD1821K6-G引脚图

MD1821K6-G封装图

MD1821K6-G封装图

MD1821K6-G封装焊盘图

MD1821K6-G封装焊盘图

在线购买MD1821K6-G
型号 制造商 描述 购买
MD1821K6-G Microchip 微芯 Driver 2A 4Out Hi/Lo Side Inv 16Pin QFN EP T/R 搜索库存
替代型号MD1821K6-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MD1821K6-G

品牌： Microchip 微芯

封装： Surface

当前型号

Driver 2A 4Out Hi/Lo Side Inv 16Pin QFN EP T/R

当前型号

型号： MD1822K6-G

品牌： 微芯

封装： Surface

完全替代

MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 5V至10V电源, 2A输出, 6.5ns延迟, QFN-16

MD1821K6-G和MD1822K6-G的区别

型号： MD1820K6-G

品牌： 微芯

封装： Surface

完全替代

Driver 2A 4Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin QFN EP T/R

MD1821K6-G和MD1820K6-G的区别