MMBT2132T1
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBT2132T1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.7A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 665 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74
外形尺寸
封装 SC-74
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBT2132T1引脚图与封装图
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在线购买MMBT2132T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2132T1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBT2132T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2132T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-74 NPN | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT2132T3 品牌： 安森美 封装： SC-74 NPN 30V 700mA | 类似代替 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | MMBT2132T1和MMBT2132T3的区别 |
| 型号： MMBT2132T3G 品牌： 安森美 封装： SC-74 NPN 30V 700mA | 类似代替 | 通用晶体管NPN双极晶体管 General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor | MMBT2132T1和MMBT2132T3G的区别 |