MMBTA55LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBTA55LT1引脚图与封装图
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在线购买MMBTA55LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTA55LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 驱动晶体管（ PNP硅） Driver TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBTA55LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTA55LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -60V -500mA | 当前型号 | 驱动晶体管（ PNP硅） Driver TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBTA55LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -60V -500mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA55LT1G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE | MMBTA55LT1和MMBTA55LT1G的区别 |
| 型号： MMBTA55 品牌： 安森美 封装： SOT-23/SC-59 350mW | 类似代替 | MMBTA55 PNP三极管 -60V -500mA/-0.5A 50MHz 100 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 2H 通用放大器/开关 | MMBTA55LT1和MMBTA55的区别 |
| 型号： MMBTA55-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 PNP 60V 100mA 300mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3Pin SOT-23 T/R | MMBTA55LT1和MMBTA55-7-F的区别 |