MLF2012A3R9M

TDK(东电化) 被动器件

Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R

3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 650mOhm Max 0805 2012 Metric

得捷:
FIXED IND 3.9UH 30MA 650MOHM SMD

立创商城:
3.9uH ±20% 300mΩ

艾睿:
Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R

MLF2012A3R9M中文资料参数规格

技术参数

额定电流 30 mA

容差 ±20 %

电感 3.9 µH

自谐频率 55 MHz

测试频率 10 MHz

电阻DC） ≤650 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MLF2012A3R9M引脚图与封装图

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MLF2012A3R9M	TDK 东电化	Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 20% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 650mOhm DCR 0805 T/R	搜索库存