MMFT5P03HDT3
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MMFT5P03HDT3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.2A
输入电容Ciss 475pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3130 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MMFT5P03HDT3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMFT5P03HDT3 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 5安培， 30伏 Power MOSFET 5 Amps, 30 Volts | 搜索库存 |
替代型号MMFT5P03HDT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMFT5P03HDT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET 5安培， 30伏 Power MOSFET 5 Amps, 30 Volts | 当前型号 |
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| 型号： NTF5P03T3 品牌： 安森美 封装： SOT-223 P-Channel 30V 5.2A 100mohms | 功能相似 | -5.4A,-20V功率MOSFET | MMFT5P03HDT3和NTF5P03T3的区别 |