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MJ3001

互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 10A 150W Chassis Mount TO-3


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 10A TO3


贸泽:
达林顿晶体管 NPN Darlington Power LTB 9-2009


艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 10A 150000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Bag


安富利:
Trans Darlington NPN 80V 10A 3-Pin2+Tab TO-3 Bag


MJ3001中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 10.0 A

耗散功率 150 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

长度 39.5 mm

宽度 26.2 mm

高度 8.7 mm

封装 TO-3

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJ3001引脚图与封装图
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在线购买MJ3001
型号 制造商 描述 购买
MJ3001 ST Microelectronics 意法半导体 互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 搜索库存
替代型号MJ3001
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJ3001

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-3 80V 10A 150000mW

当前型号

互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

当前型号

型号: J300

品牌: 安森美

封装:

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