MG1275S-BA1MM

Littelfuse(力特) 分立器件

LITTELFUSE MG1275S-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 105A, 1.8V, 630W, 1.2kV, Module

IGBT 模块 - 半桥底座安装 S3

得捷:
IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 630000mW 7-Pin Bulk

Newark:
# LITTELFUSE MG1275S-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 105 A, 1.8 V, 630 W, 1.2 kV, Module

MG1275S-BA1MM中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 630 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.52nF @25V

额定功率Max 630 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 630000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 7

封装 S-3

外形尺寸

封装 S-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MG1275S-BA1MM引脚图与封装图

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