MMDF7N02ZR2
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMDF7N02ZR2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 230 ns
输入电容Ciss 450pF @16VVds
下降时间 780 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
MMDF7N02ZR2引脚图与封装图
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在线购买MMDF7N02ZR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF7N02ZR2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 7安培， 20伏娜????通道SOA ???? 8 ，双 Power MOSFET 7 Amps, 20 Volts NâChannel SOâ8, Dual | 搜索库存 |
替代型号MMDF7N02ZR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDF7N02ZR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC N-CH 20V 7A | 当前型号 | 功率MOSFET 7安培， 20伏娜????通道SOA ???? 8 ，双 Power MOSFET 7 Amps, 20 Volts NâChannel SOâ8, Dual | 当前型号 |
| 型号： MMDF5N02ZR2 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | SOIC N-CH 20V 5A | MMDF7N02ZR2和MMDF5N02ZR2的区别 |
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