MGSF1P02LT3
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
MGSF1P02LT3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.75A
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 130pF @5VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MGSF1P02LT3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MGSF1P02LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MGSF1P02LT3 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts | 搜索库存 |
替代型号MGSF1P02LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MGSF1P02LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | 功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts | 当前型号 |
| 型号： MGSF1P02LT1G 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | SOT-23P-CH 20V 0.75A | MGSF1P02LT3和MGSF1P02LT1G的区别 |
| 型号： NTR1P02T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -20V 1A 148mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR1P02T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V | MGSF1P02LT3和NTR1P02T1G的区别 |
| 型号： NTR1P02LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel -20V 1.3A 220mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23 | MGSF1P02LT3和NTR1P02LT1G的区别 |