MTP4N40E
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MTP4N40E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 74.0 W
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MTP4N40E引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MTP4N40E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP4N40E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 N-Channel 400V 4A | 当前型号 | TO-220 N-CH 400V 4A | 当前型号 |
| 型号： IRF720 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 类似代替 | N沟道 400V 3.3A | MTP4N40E和IRF720的区别 |
| 型号： STP5NB40 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 400V 4.7A 1.75Ω | 功能相似 | N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET | MTP4N40E和STP5NB40的区别 |
| 型号： IRF722 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | TO-220 N-CH 400V 2.8A | MTP4N40E和IRF722的区别 |