MC10EP16DR2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
位数 1
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC10EP16DR2G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MC10EP16DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC10EP16DR2G | ON Semiconductor 安森美 | MC10EP16 系列 5.5 V 4 GHz 表面贴装 ECL 差分 接收器/驱动器 - SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号MC10EP16DR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC10EP16DR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC | 当前型号 | MC10EP16 系列 5.5 V 4 GHz 表面贴装 ECL 差分 接收器/驱动器 - SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： MC10EP16DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 3V 8Pin | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MC10EP16DG 芯片, 逻辑芯片 - ECL, 差分驱动器/接收器 | MC10EP16DR2G和MC10EP16DG的区别 |
| 型号： MC100EP16DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 3V 8Pin | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MC100EP16DG 芯片, ECL 100 逻辑器件 | MC10EP16DR2G和MC100EP16DG的区别 |
| 型号： MC100LVEL16DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 3V 8Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MC100LVEL16DG 芯片, ECL 100 逻辑器件 | MC10EP16DR2G和MC100LVEL16DG的区别 |