MPS3563RLRA
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MPS3563RLRA中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 350 mW
增益频宽积 1.5 GHz
最小电流放大倍数hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPS3563RLRA引脚图与封装图
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在线购买MPS3563RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS3563RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS3563RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS3563RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92-3 350mW | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
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