MCR8DCNT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MCR8DCNT4引脚图与封装图
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在线购买MCR8DCNT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCR8DCNT4 | ON Semiconductor 安森美 | 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | 搜索库存 |
替代型号MCR8DCNT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCR8DCNT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 369C 8A 800V | 当前型号 | 可控硅整流器反向阻断晶闸管 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | 当前型号 |
| 型号： MCR8DCNT4G 品牌： 力特 封装： | 类似代替 | Thyristor SCR 800V 80A 3Pin2+Tab DPAK T/R | MCR8DCNT4和MCR8DCNT4G的区别 |