MSB92ASWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 10V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MSB92ASWT1引脚图与封装图
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在线购买MSB92ASWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSB92ASWT1 | ON Semiconductor 安森美 | PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor | 搜索库存 |
替代型号MSB92ASWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MSB92ASWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -300V -500mA | 当前型号 | PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor | 当前型号 |
| 型号： MSB92ASWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -300V -500mA 150mW | 完全替代 | PNP硅通用高压晶体管 PNP Silicon General Purpose High Voltage Transistor | MSB92ASWT1和MSB92ASWT1G的区别 |