MPS6562_D26Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MPS6562_D26Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP General Purpose Transistor | 搜索库存 |