MPSA42_D81Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MPSA42_D81Z中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSA42_D81Z引脚图与封装图
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在线购买MPSA42_D81Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSA42_D81Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor High Voltage | 搜索库存 |
替代型号MPSA42_D81Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSA42_D81Z 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor High Voltage | 当前型号 |
| 型号： MPSA42 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 625mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 625 mW, 500 mA, 40 hFE | MPSA42_D81Z和MPSA42的区别 |
| 型号： MPSA42RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 0.625W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MPSA42RLRAG 双极性晶体管 | MPSA42_D81Z和MPSA42RLRAG的区别 |
| 型号： MPSA42ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 625mW | 功能相似 | TO-92 NPN 300V 0.5A | MPSA42_D81Z和MPSA42ZL1G的区别 |