额定电压DC 40.0 V
额定电流 2.00 A
耗散功率 625 mW
增益频宽积 75 MHz
最小电流放大倍数hFE 75
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPS650 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 40V 2A | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 | |
型号: MPS650G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPS650G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE | MPS650和MPS650G的区别 | |
型号: MPS650ZL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650和MPS650ZL1G的区别 | |
型号: MPS650RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 2A 625mW | 类似代替 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | MPS650和MPS650RLRAG的区别 |